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本发明公开了一种IBC电池工艺制备方法。它包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um‑10um，绒面反射率为9%‑13%，背面抛光反射率为30%‑45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧...
该专利属于晋能清洁能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋能清洁能源科技有限公司授权不得商用。

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