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本发明公开了一种两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法，包括在基片上形成的第一光刻胶层，其厚度大于需要沉积的金属图形的厚度；对所述第一光刻胶层进行第一次光刻曝光，于所述第一光刻胶层内形成第一图形区域；于所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对所述...
该专利属于苏州苏纳光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州苏纳光电有限公司授权不得商用。

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