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本发明公开了一种基于石墨烯的MEMS声学传感器及其制作方法，所述MEMS声学传感器从下到上依次包括传感器衬底、下电极、隔离层、金属图形、石墨烯薄膜、支撑层和上电极，所述传感器衬底中包含贯穿整个传感器衬底上下的空腔，所述下电极位于传感器衬底上...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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