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本实用新型涉及一种GaAs单结太阳能电池，包括：Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaAs单结电池层、接触层、反射膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。本实用新型GaAs单结太阳能电池采用LRC工艺制备的Ge晶体作为...
该专利属于陕西学前师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过陕西学前师范学院授权不得商用。

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