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本发明有关一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于基板上配置有第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层，于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层间配置有发光层，发光层具有多重量子井结构，多重量子井结构包含多个彼此交替堆栈...
该专利属于新世纪光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新世纪光电股份有限公司授权不得商用。

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