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本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种正弦量子阱耦合增强型GaN基发光二极管。该发光二极管包括：衬底、缓冲层、n型GaN、多量子阱MQWs和p型GaN。其中多量子阱MQWs由具有In组份周期正弦波形状变化的InxGa1‑xN/GaN组...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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