温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体领域，所述的一种LED外延结构，包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在n型GaN层上的多孔SiNx层；还包括形成在多孔SiNx层孔洞处的n型GaN六棱锥阵列，以及位于六棱锥顶点处的量子点、六条棱上的量子线和在六...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。