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本发明涉及一种红外LED及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长Ge外延层；在Ge外延层表面上淀积保护层；利用LRC工艺晶化Si衬底、Ge外延层、保护层；刻蚀保护层，形成晶化后的Ge层；对晶化后的Ge层进行掺杂形成P型晶化...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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