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本发明涉及一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法，属于低维半导体材料光电应用技术领域。本发明所设计的选择性光探测器由n个电极和类硫硒化镉纳米带构成；所述n大于等于3；所述类硫硒化镉纳米带的化学式为CdSxS...
该专利属于黄山博蓝特光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过黄山博蓝特光电技术有限公司授权不得商用。

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