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本发明提供一种功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法，包括金属化阴极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型半导体主结、第一导电类型重掺杂截止环；位于所述第二导电类型半导体主结与第一导...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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