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本发明提供的离子注入异常的检测结构及其制备方法，以及检测方法中，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底层半导体层、埋氧层及顶层半导体层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域的顶层半导体层中具有多个离子注入区域，所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。