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本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)提供(100)晶面的硅衬底；(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理，去氧化时间为10分钟；(3)通过分子束外延的方法，在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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