温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种自支撑氮化镓层及其制备方法，其中，制备方法至少包括：提供一衬底；于所述衬底上依次形成第一含镓分解层、分解阻挡层、第二含镓分解层、图形化掩膜层，其中，所述图形化掩膜层具有若干个开口；进行热退火，使所述第一含镓分解层和所述第二含镓...
该专利属于镓特半导体科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。