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本发明一种在镍基上制备石墨烯薄膜并转移到其它基底的方法包括步骤为：Z1：对镍箔进行表面处理；Z2：将处理后的镍箔放入真空加热炉中心，加热到设定温度，通入相应气体；Z3：控制降温速率使碳原子从镍中析出形成石墨烯薄膜；Z4：对镍表面石墨烯薄膜处...
该专利属于南昌航空大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌航空大学授权不得商用。

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