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本发明提供了一种以CO2为碳源低温制备石墨烯的方法，该方法是以CO2作为气态碳源，在Ar和H2氛围下，采用等离子体增强化学气相沉积法在基底上生长石墨烯；在所述等离子体增强化学气相沉积法中，反应温度为300‑500℃。本发明提供的以CO2为碳...
该专利属于中国石油大学(北京)所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油大学(北京)授权不得商用。

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