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本发明提供一种等离子体处理装置及基片制作方法，其中，包括反应腔体，其中所述反应腔体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述反应腔体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率穿过...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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