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一种化学机械抛光仿真的方法和装置，其中，所述CMP仿真的方法包括：输入芯片版图，芯片版图包括多个图形；将芯片版图划分初始网格，初始网格包括多个子网格，计算初始网格的图形特征；对初始网格进行移位，产生移位网格，计算初始网格和移位网格的平均图形...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。