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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括半导体衬底和衬底上的鳍片，鳍片包括半导体层和半导体层顶部上的硬掩模层；在鳍片侧壁上形成隔离层；以硬掩模层和隔离层作为掩模刻蚀衬底，从而在鳍片两侧形成分离的凹陷...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。