温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种GaN/AlGaN栅槽低损伤刻蚀的方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成GaN/AlGaN多层外延材料层，所述多层外延材料层依次包括缓冲层、多层外延层、帽层；在帽层表面形成刻蚀阻挡层，图形化刻蚀阻挡层，使预设...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。