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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括器件区和对准区，所述器件区的基底表面具有器件栅极结构，所述对准区的基底表面具有第三栅极结构；在所述器件栅极结构侧壁形成侧墙的同时，在第三栅极结构的顶部表面形成保护层；形成覆盖器件栅...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。