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本发明涉及一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法，包括以下步骤：将生长衬底所在管式炉高温区的温度加热到第一预设温度并保温一段时间，生成第一层单晶二硫化钼薄膜；将温度升高，在升温过程中引入少量具有轻微刻蚀作用的气体，使第一层二硫...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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