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本发明涉及一种铝镓合金及其制备方法、氢氧化铝纳米棒及其制备方法，属于纳米氢氧化铝制备技术领域。本发明铝镓合金中Ga、In、Sn的质量百分比之和为5～15％，所述Ga、In、Sn的质量比为65:22:13，余量为Al和不可避免的杂质。本发明铝...
该专利属于河南科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南科技大学授权不得商用。

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