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本发明涉及包括非导电区域和导电区域的透明导电层，其中导电区域包括导电纳米物的互连网，并且在非导电区域中，纳米物被转化为颗粒，并且其中导电区域和非导电区域的厚度差小于10nm。本发明还涉及一种用于制造图案化透明导电膜的方法，所述膜包括基质和透...
该专利属于巴斯夫欧洲公司所有，仅供学习研究参考，未经过巴斯夫欧洲公司授权不得商用。

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