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本发明公开了碳化硅Trench MOS器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明鉴于通过外部反并联一个快恢复二极管(FRD)以及直接使用碳化硅Trench MOS器件的寄生二极管均存在不足，通过在传统器件的P...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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