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本发明提供了一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法，芯片结构自下而上依次包括金属电极117、衬底111、长条形元胞掺杂区112、长条梯形多晶栅113和绝缘层116；金属汇流条114 T型设于所述绝缘层116中部，其下表面与所述长条梯形多晶...
该专利属于全球能源互联网研究院所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院授权不得商用。

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