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通过在半传导沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止FinFET器件中的沟道到衬底泄漏。类似地，通过在源极/漏极区域与衬底之间插入绝缘层隔离源极/漏极区域与衬底来防止FinFET器件中的源极/漏极到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离传导路径与衬底，因...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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