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本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法，属于制备纳米材料技术领域；通过配套降压减薄工艺得到分布间距可控的阳极氧化铝模板之后辅以低压直流择优电沉积方法制备得到分布间距可控的镧钙锰氧纳米线阵列；该工艺突破了现有技术只能制备单一填充纳米线阵列...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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