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本发明公开了一种偏置控制双波段InAlAs‑InGaAs二极探测器及焦平面阵列，属于半导体光电信息材料与器件领域。在同一InP衬底上用晶格匹配的宽禁带In0.52Al0.48As和窄禁带In0.53Ga0.47As三元系材料分别作为短波和长...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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