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本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区对称形成于所述沟道层的两端；在所述沟道层上且在所述源极区和所述漏极区之间形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的铁电...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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