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本发明公开了一种提高光利用率的图像传感器及其制备方法，所述图像传感器包括集成衬底单元和交替隔离层，所述交替隔离层位于所述集成衬底单元的上方，所述集成衬底单元中包括光电二极管和填充层，所述填充层位于所述光电二极管的上方，其中，还包括光通道沟槽...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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