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本发明涉及一种三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法，主要解决现有技术微流道壁材料热导率低和液体与微流道壁接触面积小的问题。其包括上层芯片(1)和下层芯片(2)，每层芯片自上而下包括电路层(3)、硅衬底(4)、硅流道壁(5)、碳化硅...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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