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本发明公开了一种氟注入增强型HEMT器件中离化氟离子位置的测量方法，主要解决目前测量器件离化氟离子位置无法测量的问题。其实现方案是：首先测量器件的阈值电压；其次对器件施加反向应力，同时监测并统计器件的源漏电流和栅极电流；最后测量施加应力后的...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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