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本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管的制造方法,该方法包括:在氮化镓外延基底的表面上依次生长氮化硅钝化层和PETEOS氧化层;制造晶体管的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极;对晶体管进行退火处理;对第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极之间的预设...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。