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本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，其中，该方法包括：在氮化镓外延基底上依次沉积第一氮化镓层、第二氮化铝镓层，氮化镓外延基底包括硅衬底层、第二氮化镓层和第一氮化铝镓层；在第二氮化铝镓层的表面上沉积第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成源极...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。