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本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括：在氮化镓外延基底的表面上沉积第一氮化硅介质层，其中，氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓层和氮化镓铝层；对第一氮化硅介质层进行干法刻蚀，形成相对设置的第一窗口和第二窗口；采用三...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。