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本发明公开了改善边模抑制比的激光器芯片及其制造方法，通过在包层覆盖与波导刻蚀之间，增加干法加湿法的刻蚀工艺，提供一种新型布拉格光栅，来提升激光器芯片的模态稳定性，这种方式制造工艺简单稳定，可以避免后期的芯片切割工艺的不确定性，同时大幅提高芯...
该专利属于陕西源杰半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西源杰半导体技术有限公司授权不得商用。

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