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本发明的目的在于，提供一种能够实现稳定的耐压特性、与断开时的泄漏电流的减小化相伴的低断开损耗化、截止动作的控制性的提高及截止时的切断能力的提高的半导体装置的构造。而且，本发明是IGBT、二极管等纵向型的半导体装置，具有相对于N...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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