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本发明提供了一种去除阻挡层使侧壁凹陷最小化的方法。该方法包括如下步骤：(501)向蚀刻腔内通入卤素‑贵族元素化合物气体和载气，在该蚀刻腔内进行热气相蚀刻工艺以蚀刻互连结构的非凹进区域上的阻挡层(206)；(502)检测热气相蚀刻工艺的终点，...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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