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本发明提供显示良好薄膜晶体管TFT特性的p型金属氧化物半导体薄膜。所述p型金属氧化物薄膜包含三元或更高阶基于锡(基于Sn)的p型氧化物，例如Sn(II)‑M‑O氧化物，其中M是金属。在一些实施方案中，M是选自周期表的d区或p区的金属。本文所...
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