温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在一个实例中，光子系统包括具有Si基底的Si PIC、形成于Si基底上的SiO2隐埋氧化物、第一层和第二层。第一层形成于SiO2隐埋氧化物上方，并且包括在第一端和与所述第一端相对的锥形端具有耦合器部分的SiN波导。第二层形成于SiO2隐埋氧...
该专利属于菲尼萨公司所有，仅供学习研究参考，未经过菲尼萨公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。