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一种声波器件，所述声波器件包括：压电基板，所述压电基板由单晶压电材料制成，并且包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括上表面，所述第二区域位于所述第一区域下方并且具有小于所述第一区域的密度的密度；以及IDT，所述IDT位于所述压电基板的所述...
该专利属于太阳诱电株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过太阳诱电株式会社授权不得商用。

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