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本申请提供了一种LED外延生长方法，该LED外延是采用金属化学气相沉积法MOCVD对基底进行处理获得的，该方法包括：将基底进行退火，在基底上依次生长缓冲层、u‑GaN层、n‑GaN层、量子阱层、Al渐变AlGaN层、InGaN:Mg层、In...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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