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本发明涉及一种优化终端结构的沟槽型功率半导体器件及制作方法，其特征在于：第一导电类型外延层上设有至少一个第二类沟槽，第二类沟槽两侧第一导电类型外延层的表面依次设有第二导电类型体区和绝缘介质层，第一类沟槽与第二类沟槽间的第二导电类型体区内设有...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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