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本发明公开了一种铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括衬底、源区、漏区、栅区和栅极，位于源区和漏区之间为低维半导体纳米材料导电通道，栅区采用铁电材料薄膜，本发明采用不引入电荷陷阱的超薄绝缘缓冲层插在低维纳米材料与铁电材料薄膜之...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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