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用于探测电离辐射的闪烁探测器，该电离辐射尤其是电子、X射线或粒子辐射，该闪烁探测器包括单晶基底（1）、至少一个缓冲层（2）、至少一个氮化物半导体层（3、4、5、6），该至少一个氮化物半导体层被施加至具有外延的基底（1）上，该氮化物半导体层用...该专利属于克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司所有，仅供学习研究参考，未经过克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司授权不得商用。