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本发明涉及太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基底；在所述基底上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层，所述光吸收层包括Se和S；以及在所述光吸收层上的缓冲层；所述光吸收层包括从所述光吸收层的邻近所述缓冲层的表面延伸的耗尽区，所述耗尽区...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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