下载用于在硅衬底中形成扩散区的方法的技术资料

文档序号:16286714

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本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括将耐蚀刻掺杂剂材料沉积到硅衬底上,所述耐蚀刻掺杂剂材料包含掺杂剂源;利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质;以及将所述硅衬底和所述耐蚀刻掺杂剂材料加热到足够的...
该专利属于太阳能公司所有,仅供学习研究参考,未经过太阳能公司授权不得商用。

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