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一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的半导体衬底中的源区和漏区；在半导体衬底上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述栅极结构、源区和漏区；在所述缓冲层上形成张应力层，所述张应力层的材...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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