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本发明公开了一种氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法。该晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘层覆盖栅极和衬底，有源层于栅绝缘层上形成，与栅极对应，源极和漏极分别覆盖有源层的两端；有源层为掺X...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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