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在含硅层基材表面上形成石墨烯层的方法技术
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文档序号:16282366
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本发明涉及一种在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法,所述方法包括以下连续步骤:在所述硅层的自由表面上形成(1)碳化硅膜(103);以及逐步加热该基材,直到至少该碳化硅膜的第一排原子中的硅升华,从而在所述碳化硅...
该专利属于中央科学研究中心所有,仅供学习研究参考,未经过中央科学研究中心授权不得商用。
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